Panasonic TX_PR42UT30 решено

[zan57]

Всем доброго здоровья! Продолжаю мучить свой телевизор  Panasonic TX_PR42UT30 заказал в Китае транзисторы к нему 30F131 (Toshiba). Родные стоят N-E IGBT структуры, прислали маркировка правильная 30F131, но структура N-E MOS, по прибору BSIDE, ESR02Pro. Фото обоих замеров прилагается. Встаёт вопрос можно менять или не стоит. Заранее всем спасибо, Андрей.

[CAIIIA]

Эти приборы все такие кривые..

[zan57]

Кривые, согласен, но не настолько!

[CAIIIA]

Ну, вам видней.

[zan57]

Вопрос не в компетенции прибора, а том ставить или нет, то что прислали?

[zan57]

Меня ещё смущает наличие диодов в структуре транзисторов, ведь на плате распаяны отдельно диоды для родных транзисторов, как они будут между собой дружить?

[vornst]

Найди даташит на IGBT, есть там диод? Похоже левак.

[zan57]

В даташит диода нет, они для этого и стоят на плате. и на картинке которую рисует тестер их нет на родном фото 1.

[CAIIIA]

Меня ещё смущает наличие диодов в структуре транзисторов, ведь на плате распаяны отдельно диоды для родных транзисторов, как они будут между собой дружить?

Уже всем известно что количество левака просто зашкаливает. Ставить или нет решать вам. Наличие диодов на плате несмотря на то что они могут быть и в транзисторе говорит о том, что внутренние недостаточно хороши в данной схеме. Есть левак, вполне сносно работающий.

[zan57]

Всем большое спасибо, ответа так и не получил на свой вопрос, ставил кто-нибудь полевеки вместо IGBT транзисторы в платы развёртки плазменных телевизоров. С уважением, Андрей.

[serg-161]

Всем большое спасибо, ответа так и не получил на свой вопрос, ставил кто-нибудь полевеки вместо IGBT транзисторы в платы развёртки плазменных телевизоров. С уважением, Андрей.

Дли начала найди полевик на 360V 200A.Найдешь,ставь смело.Работать будет.С уважением, Сергей.

[CAIIIA]

Всем большое спасибо, ответа так и не получил на свой вопрос, ставил кто-нибудь полевеки вместо IGBT транзисторы в платы развёртки плазменных телевизоров. С уважением, Андрей.

Полевики всегда быстрей гбтшек (поэтому работать будут вопрос только в мощностях) (ну и второе замечание - само собой прогресс на месте не стоит), всегда есть взаимозаменяемые применения и есть неэффективные. На все это есть в сети масса разжёвываний.  Чтобы понять можно ли поставить вместо, надо сделать соответствующие измерения, посчитать потери на переключения и подобрать полевик. Основная масса ремонтников чинит, а не ставит опыты. Зачем? если ты ремонтишь, то должен пополнять базу запчастей, а не заниматься лепниной.

[Telefuntik]

Уже всем известно что количество левака просто зашкаливает. Ставить или нет решать вам. Наличие диодов на плате несмотря на то что они могут быть и в транзисторе говорит о том, что внутренние недостаточно хороши в данной схеме. Есть левак, вполне сносно работающий.

Я однажды открыл спор, что это подделка и проиграл. Продавец представил документы, что это оригинальные транзисторы одного из китайских производителей радиодеталей. У них обычно есть разброс параметров, поэтому беру по многу и потом подбираю пары по параметрам, иначе раскаляются и умирают. Пока всё что присылали работает. Такие как у автора тоже сейчас получил, но пока некуда ставить. Думаю что тоже работать будут, если устранишь первопричину.

[zan57]

Большое спасибо за конструктивный ответ. Считаю вопрос решён ставим с подбором по частоте!

[artur008]

zan57, все вопросы от непонимания сути.
Правильный ответ на вопрос: "Из-за чего греется "ключевой" транзистор?" - даст понимание. Не "частота" нагревает.
=================================================
Ваш "прибор", да и любой другой не даст точной оценки IGBT or MOSFET.
=================================================
"Ключевой" схеме "фиолетово", какой компонент будет стоять, хоть тумблер.

[decoder2000]

Рассеиваемая мощность на транзисторе складывается из двух составляющих.
1) во время переключения - пиковое значение выделяемой мощности при напряжении на коллекторе (стоке) = Uпит/2, транзисторы с лучшими частотными характеристиками рассеивают меньшую мощность,
2) в открытом состоянии при максимальном токе коллектора (стока), транзисторы с меньшими сопротивлениями сток-исток     (падениями напряжения  коллектор - эмиттер ) в открытом состоянии рассеивают меньшую мощность.

[artur008]

во время переключения - пиковое значение выделяемой мощности при напряжении на коллекторе (стоке) = Uпит/2, транзисторы с лучшими частотными характеристиками рассеивают меньшую мощность

Осталось из этой длинной фразы выделить то что указывается в даташитах. 

[vornst]

Что с темой?

[zan57]

Закроем с благодарностью к участникам!